场效应管(MOSFET) SI1926DL-T1-E3 SOT-363-6中文介绍，威世(VISHAY)

SI1926DL-T1-E3 SOT-363-6 场效应管 (MOSFET) 中文介绍

产品概述

SI1926DL-T1-E3 是威世 (VISHAY) 公司生产的一款 N沟道增强型 MOSFET，采用 SOT-363-6 封装。这款 MOSFET 具有低导通电阻 (RDS(ON))、高电流容量和快速开关速度等特点，适用于各种低压、高电流应用场景。

产品规格

以下是 SI1926DL-T1-E3 的主要规格参数：

| 参数 | 规格 | 单位 |

|---|---|---|

| 栅极电压 (VGS) | -20 V | V |

| 漏极电压 (VDSS) | 30 V | V |

| 漏极电流 (ID) | 15 A | A |

| 导通电阻 (RDS(ON)) | 1.7 mΩ | Ω |

| 栅极电荷 (Qg) | 12 nC | nC |

| 输入电容 (Ciss) | 260 pF | pF |

| 反向转移电容 (Crss) | 6 pF | pF |

| 输出电容 (Coss) | 30 pF | pF |

| 工作温度 | -55°C 到 +175°C | °C |

| 封装 | SOT-363-6 | - |

产品优势

* 低导通电阻 (RDS(ON)): 仅 1.7 mΩ，可以降低功耗，提高效率。

* 高电流容量: 15A 的电流容量，适合高电流应用。

* 快速开关速度: 较低的栅极电荷 (Qg) 和输入电容 (Ciss) 确保了快速开关速度。

* 宽工作温度范围: -55°C 到 +175°C 的工作温度范围，适应各种环境。

* 可靠的封装: SOT-363-6 封装，具有良好的机械强度和散热性能。

应用场景

SI1926DL-T1-E3 适用于各种低压、高电流应用场景，包括：

* 电源管理: 作为开关管应用于 DC-DC 转换器、电源适配器、电池充电器等。

* 电机驱动: 驱动小型电机、步进电机、伺服电机等。

* 负载开关: 作为开关管应用于负载开关、电源开关、继电器驱动等。

* 其他应用: 诸如音频放大器、电源分配器、LED 驱动等。

工作原理

SI1926DL-T1-E3 是一款 N沟道增强型 MOSFET，其工作原理如下：

* 结构: MOSFET 是一种三端器件，包括源极 (S)、漏极 (D) 和栅极 (G)。在 MOSFET 的内部，有一个由氧化硅层隔离的 PN 结，称为沟道。

* 工作原理: 当栅极电压 (VGS) 为 0 时，沟道是断开的，漏极电流 (ID) 为 0。当 VGS 大于阈值电压 (Vth) 时，沟道被打开，漏极电流 (ID) 开始流动，并随着 VGS 的增加而增大。当 VGS 达到一定值时，沟道完全打开，漏极电流 (ID) 达到最大值，此时 MOSFET 处于饱和状态。

使用注意事项

* 栅极保护: MOSFET 的栅极对静电非常敏感，在使用过程中需要进行防静电处理，避免静电损坏器件。

* 热量管理: MOSFET 在工作时会产生热量，需要进行散热处理，以确保器件工作在安全温度范围内。

* 驱动电路: MOSFET 的驱动电路需要能够提供足够大的电流和电压，以确保 MOSFET 能正常工作。

结论

SI1926DL-T1-E3 是一款性能优异的 N沟道增强型 MOSFET，其低导通电阻、高电流容量和快速开关速度使其成为各种低压、高电流应用的理想选择。在使用过程中，需要关注栅极保护、热量管理和驱动电路设计，以确保器件的安全可靠运行。

参考文献

* [VISHAY SI1926DL-T1-E3 数据手册]()

关键词

场效应管, MOSFET, SI1926DL-T1-E3, 威世, VISHAY, 低导通电阻, 高电流容量, 快速开关速度, 负载开关, 电机驱动, 电源管理, SOT-363-6