场效应管(MOSFET) IRFR48ZTRPBF TO-252中文介绍，英飞凌(INFINEON)

英飞凌 IRFR48ZTRPBF TO-252 场效应管：性能与应用解析

一、产品概述

IRFR48ZTRPBF 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO-252 封装。该器件具有高电流容量、低导通电阻和快速开关速度等特点，广泛应用于电源管理、电机控制、电源转换器等领域。

二、技术参数

2.1 主要参数

| 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

|---|---|---|---|

| 漏极-源极电压 (V_DSS) | 100 | 100 | V |

| 漏极电流 (I_D) | 48 | 58 | A |

| 导通电阻 (R_DS(on)) | 14 | 20 | mΩ |

| 门极阈值电压 (V_GS(th)) | 2.5 | 4 | V |

| 输入电容 (C_iss) | 1000 | 1500 | pF |

| 输出电容 (C_oss) | 150 | 250 | pF |

| 反向传输电容 (C_rss) | 50 | 80 | pF |

| 开关速度 (t_on, t_off) | 10 | 20 | ns |

| 工作温度范围 | -55 ~ +150 | -55 ~ +175 | ℃ |

2.2 参数解读

* 漏极-源极电压 (V_DSS)：该参数表示 MOSFET 在漏极和源极之间能够承受的最大电压。

* 漏极电流 (I_D)：该参数表示 MOSFET 能够承受的最大电流。

* 导通电阻 (R_DS(on))：该参数表示 MOSFET 导通时漏极和源极之间的电阻。

* 门极阈值电压 (V_GS(th))：该参数表示 MOSFET 从截止状态转为导通状态所需的最小门极电压。

* 输入电容 (C_iss)、输出电容 (C_oss)、反向传输电容 (C_rss)：这些参数表示 MOSFET 的寄生电容，会影响开关速度。

* 开关速度 (t_on, t_off)：该参数表示 MOSFET 从截止状态转为导通状态和从导通状态转为截止状态所需的时间。

* 工作温度范围：该参数表示 MOSFET 能够正常工作时的温度范围。

三、器件特性

3.1 低导通电阻

IRFR48ZTRPBF 具有低导通电阻，典型值为 14 mΩ，这意味着在 MOSFET 导通时，其内部电阻很低，能够有效减少导通损耗，提高能量转换效率。

3.2 高电流容量

该器件能够承受高达 58A 的漏极电流，适合用于高功率应用。

3.3 快速开关速度

IRFR48ZTRPBF 拥有快速的开关速度，典型值为 10 ns，能够快速响应控制信号，提高系统效率和可靠性。

3.4 高可靠性

该器件采用 TO-252 封装，具有良好的散热性能，能够承受高温工作环境。此外，其内部采用先进的工艺设计，确保其在各种环境下的可靠运行。

四、应用领域

4.1 电源管理

IRFR48ZTRPBF 可以用作 DC/DC 转换器的开关器件，实现电压转换、电流控制等功能。

4.2 电机控制

该器件可以作为电机驱动器的开关器件，实现电机速度控制、方向控制等功能。

4.3 电源转换器

IRFR48ZTRPBF 广泛应用于各种电源转换器，例如逆变器、充电器、适配器等。

五、应用注意事项

* 在使用 IRFR48ZTRPBF 时，需要根据具体应用选择合适的驱动电路，以确保其可靠工作。

* MOSFET 的开关速度会影响系统效率和电磁干扰，需要根据应用需求选择合适的驱动方式和控制策略。

* 需要注意 MOSFET 的热特性，确保其工作温度在安全范围内，以防止器件损坏。

* 在设计电路时，需要考虑 MOSFET 的寄生电容，避免因寄生电容的影响而导致电路性能下降。

六、结论

IRFR48ZTRPBF 是一款性能优异的 N 沟道增强型功率 MOSFET，具有低导通电阻、高电流容量、快速开关速度等特点，使其成为电源管理、电机控制、电源转换器等领域理想的选择。在使用该器件时，需要注意选择合适的驱动电路和控制策略，并确保其工作温度在安全范围内。