场效应管(MOSFET) STD4NK100Z TO-252中文介绍，意法半导体(ST)

STMicroelectronics STD4NK100Z TO-252场效应管详细介绍

STD4NK100Z 是一款由意法半导体 (STMicroelectronics) 生产的 N沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 封装。该器件拥有优秀的性能指标，适用于多种应用场景，例如开关电源、电机驱动、工业控制等。以下将对其特性、应用、优势等进行详细分析。

一、产品概述

STD4NK100Z 是一款高性能、高可靠性的 N沟道增强型 MOSFET，其主要特点包括：

* 高耐压: 1000V 的击穿电压，适合高压应用。

* 低导通电阻: 典型值为 0.045Ω，可有效降低功率损耗。

* 高速开关速度: 具备快速开启和关闭速度，适合高频应用。

* 低漏电流: 典型值为 1µA，有效降低功耗。

* 采用 TO-252 封装: 便于安装和使用。

二、技术参数

| 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

|---|---|---|---|

| 击穿电压 (BV_DSS) | 1000V | 1200V | V |

| 导通电阻 (R_DS(on)) | 0.045Ω | 0.065Ω | Ω |

| 漏电流 (I_DSS) | 1µA | 5µA | A |

| 栅极阈值电压 (V_GS(th)) | 2V | 4V | V |

| 栅极电荷 (Q_g) | 45nC | 65nC | C |

| 功耗 (P_D) | 150W | - | W |

| 工作温度 (T_j) | -55℃ | +150℃ | ℃ |

| 封装 | TO-252 | - | - |

三、工作原理

STD4NK100Z 属于 N沟道增强型 MOSFET，其基本原理如下：

1. 结构: 该器件由一个 N 型硅基底、两个 P 型扩散层（源极和漏极）以及一个位于两个扩散层之间的氧化层构成。氧化层上覆盖一层金属层（栅极），用于控制电流。

2. 工作机制: 当栅极电压为 0V 时，P 型扩散层中的空穴与 N 型基底中的电子形成一个耗尽层，阻碍电流流动。当栅极电压高于阈值电压 (V_GS(th)) 时，电子会从基底被吸引到栅极下方，形成一个导电通道。此时，源极和漏极之间形成通路，电流可以流动。

四、应用场景

STD4NK100Z 由于其高耐压、低导通电阻、高速开关等特性，适用于多种应用场景：

* 开关电源: 作为开关电源中的主开关器件，可以实现高效率、低损耗的开关转换。

* 电机驱动: 可以作为电机驱动电路中的功率开关，实现对电机的控制。

* 工业控制: 在工业控制系统中，可以作为执行机构的功率开关，实现对系统状态的控制。

* 太阳能逆变器: 可以作为太阳能逆变器中的功率开关，实现太阳能的转换和利用。

* 其他应用: 还可应用于 LED 照明、充电器、电源适配器等领域。

五、优势分析

与其他同类型 MOSFET 相比，STD4NK100Z 具有以下优势：

* 高耐压: 1000V 的击穿电压，可应对高压应用，增强器件的可靠性。

* 低导通电阻: 低导通电阻可以有效降低功率损耗，提高器件效率。

* 高速开关速度: 快速的开关速度可以提高电路效率，适应高速应用。

* 高可靠性: 意法半导体的产品以高可靠性著称，确保器件长期稳定运行。

* 便于使用: TO-252 封装易于安装和使用，便于设计和维护。

六、使用注意事项

在使用 STD4NK100Z 时需要注意以下事项：

* 散热: 该器件具有较高的功耗，使用时需要采取有效的散热措施，例如安装散热器等。

* 栅极电压: 栅极电压过高可能会导致器件损坏，应严格控制在额定范围内。

* 工作温度: 器件的工作温度应控制在额定范围内，避免过高或过低温度影响性能。

* 反向偏压: 应避免对器件施加过高的反向偏压，以免导致器件损坏。

* 静电防护: MOSFET 容易受到静电的影响，应做好静电防护措施，避免静电损伤。

七、总结

STD4NK100Z 是一款高性能、高可靠性的 N沟道增强型功率 MOSFET，拥有高耐压、低导通电阻、高速开关等优势，适用于多种应用场景。在使用该器件时，需要注意散热、栅极电压、工作温度等问题，并做好静电防护措施。相信 STD4NK100Z 将在未来继续为各种电子产品提供可靠的性能保障。

八、参考资料

* STMicroelectronics 网站：/

* STD4NK100Z 数据手册：

希望以上内容能够对您了解 STD4NK100Z 提供帮助。