场效应管(MOSFET) SISS54DN-T1-GE3 PAK1212-8S中文介绍，威世(VISHAY)

威世 (VISHAY) SISS54DN-T1-GE3 PAK1212-8S 场效应管 (MOSFET) 中文介绍

1. 产品概述

SISS54DN-T1-GE3 PAK1212-8S 是一款由威世 (VISHAY) 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于 CoolMOS™ 系列产品。该器件采用 TO-220AB 封装，具有低导通电阻 (RDS(on))、高电流容量以及快速开关速度等特点，适用于各种高效率电源应用，例如：

* 服务器和数据中心的电源

* 电动汽车充电器

* 工业设备电源

* 电池充电器

* LED 照明电源

2. 产品规格参数

| 参数 | 规格 | 单位 |

|---------------------------------|-----------------|-------------|

| 漏极-源极电压 (VDSS) | 600 | V |

| 漏极电流 (ID) | 54 | A |

| 导通电阻 (RDS(on)) | 1.25 | mΩ |

| 栅极阈值电压 (VGS(th)) | 2.5-4.5 | V |

| 输入电容 (Ciss) | 2700 | pF |

| 输出电容 (Coss) | 150 | pF |

| 反向转移电容 (Crss) | 100 | pF |

| 工作结温 (TJ) | -55 to 175 | °C |

| 存储温度 (TSTG) | -65 to 175 | °C |

| 封装 | TO-220AB | |

| 数量 | 8 | |

| 包装 | PAK1212-8S | |

3. 产品特点

* 低导通电阻 (RDS(on))： SISS54DN-T1-GE3 的 RDS(on) 仅为 1.25 mΩ，这意味着在导通状态下，器件的导通损耗非常低，可以提高电源转换效率。

* 高电流容量： 该器件能够承受高达 54A 的漏极电流，适用于需要大功率处理的应用。

* 快速开关速度： SISS54DN-T1-GE3 具有快速开关速度，可以最小化开关损耗，进一步提高电源转换效率。

* CoolMOS™ 技术： 采用威世 (VISHAY) 的 CoolMOS™ 技术，可以实现更低的导通电阻和更高的效率。

* 可靠性高： SISS54DN-T1-GE3 经过严格的测试和认证，具有较高的可靠性，适合于各种严苛的应用环境。

4. 产品应用

* 服务器和数据中心的电源： 由于高效率和可靠性，SISS54DN-T1-GE3 非常适合用于服务器和数据中心的电源系统。

* 电动汽车充电器： SISS54DN-T1-GE3 可以有效地处理电动汽车充电过程中所需要的功率，并提高充电效率。

* 工业设备电源： 在工业设备中，SISS54DN-T1-GE3 可以用于各种电源应用，例如：电机控制、焊接设备、自动化系统等。

* 电池充电器： 该器件可以用于高电流电池充电器，提供快速和高效的充电解决方案。

* LED 照明电源： SISS54DN-T1-GE3 可以用于 LED 照明电源，提高电源转换效率，并降低功耗。

5. 产品优势

* 高效率： 低导通电阻和快速开关速度可以有效降低功耗，提高电源转换效率。

* 可靠性高： 经过严格测试和认证，保证了产品的可靠性，适合于各种严苛的应用环境。

* 成本效益： SISS54DN-T1-GE3 的性能价格比出色，可以为客户提供经济高效的电源解决方案。

* 易于使用： 该器件的封装类型为 TO-220AB，易于安装和使用。

* 支持： 威世 (VISHAY) 提供完善的技术支持，帮助客户解决应用中的问题。

6. 技术特点

* CoolMOS™ 技术： CoolMOS™ 技术是一种先进的 MOSFET 技术，可以实现更低的导通电阻和更高的效率。CoolMOS™ 器件采用了特殊的结构设计和工艺，可以有效地降低导通电阻，并提高电流容量。

* 低漏极-源极电压 (VDSS)： SISS54DN-T1-GE3 的 VDSS 为 600V，可以满足各种高压应用的需求。

* 低栅极阈值电压 (VGS(th))： 该器件的栅极阈值电压为 2.5-4.5V，可以有效地降低驱动电路的功耗。

* 低输入电容 (Ciss)： SISS54DN-T1-GE3 的 Ciss 为 2700pF，可以有效地降低开关损耗，提高电源转换效率。

* 低输出电容 (Coss)： Coss 为 150pF，同样可以有效地降低开关损耗。

7. 应用电路

SISS54DN-T1-GE3 可以用于各种电源应用，例如：

* 降压变换器： 该器件可以用于降压变换器，将高压直流电源转换为低压直流电源。

* 升压变换器： SISS54DN-T1-GE3 可以用于升压变换器，将低压直流电源转换为高压直流电源。

* 双向变换器： 该器件可以用于双向变换器，实现电源的双向流动。

* 逆变器： SISS54DN-T1-GE3 可以用于逆变器，将直流电源转换为交流电源。

8. 注意事项

* 使用适当的驱动电路： 使用适当的驱动电路可以确保 MOSFET 的正常工作。

* 注意散热： 由于器件的功率损耗，需要进行适当的散热处理。

* 安全操作： 在使用 MOSFET 时，需要遵循安全操作指南，防止器件损坏。

9. 总结

SISS54DN-T1-GE3 是一款性能优异的 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻、高电流容量、快速开关速度和高可靠性等特点，适用于各种高效率电源应用。该器件采用威世 (VISHAY) 的 CoolMOS™ 技术，可以实现更高的效率和更低的功耗。选择 SISS54DN-T1-GE3 可以帮助客户构建高效、可靠和经济的电源解决方案。