场效应管(MOSFET) SISS52DN-T1-GE3 PPAK1212-8中文介绍，威世(VISHAY)

威世 (VISHAY) 场效应管 SISS52DN-T1-GE3 PPAK1212-8：详细介绍

一、产品概述

SISS52DN-T1-GE3 PPAK1212-8 是由威世 (VISHAY) 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于 SiSS 系列。该器件采用先进的 Trench 技术，具有低导通电阻、高速开关速度和高可靠性等特点，适用于各种电源管理、电机控制、工业自动化等应用领域。

二、技术规格

| 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

|---|---|---|---|

| 漏极-源极电压 (V_DSS) | 60 | 60 | V |

| 漏极电流 (I_D) | 52 | 52 | A |

| 门极-源极电压 (V_GS) | ±20 | ±20 | V |

| 导通电阻 (R_DS(ON)) | 1.9 | 2.5 | mΩ |

| 开关速度 (t_on + t_off) | 10 | 15 | ns |

| 结温 (T_j) | 175 | 175 | ℃ |

| 封装 | PPAK1212-8 | | |

三、产品特点

1. 低导通电阻：SISS52DN-T1-GE3 PPAK1212-8 的导通电阻仅为 1.9mΩ，这意味着在开关状态下，器件的功率损耗较低，效率更高。

2. 高速开关速度：该器件的开关速度非常快，典型值仅为 10ns，这使其适用于高频开关电源等应用。

3. 高可靠性：SISS52DN-T1-GE3 PPAK1212-8 采用 Trench 技术，具有更高的可靠性和更长的使用寿命。

4. 紧凑的封装：PPAK1212-8 封装体积小，可以节省电路板空间，方便布局设计。

5. 广泛的应用：该器件适用于各种应用，包括：

* 电源管理：DC-DC 转换器、充电器、电源适配器等。

* 电机控制：电机驱动器、伺服系统、机器人等。

* 工业自动化：工业控制系统、传感器、执行器等。

* 其他：通信设备、消费电子产品等。

四、工作原理

SISS52DN-T1-GE3 PPAK1212-8 是 N 沟道增强型 MOSFET，其工作原理如下：

1. 正常状态：当门极电压 V_GS 低于阈值电压 V_th 时，器件处于关闭状态，漏极电流 I_D 为零。此时，通道被关闭，源极和漏极之间形成一个高阻抗。

2. 导通状态：当门极电压 V_GS 大于阈值电压 V_th 时，器件处于导通状态，漏极电流 I_D 流过通道。此时，通道被打开，源极和漏极之间形成一个低阻抗。

3. 控制特性：漏极电流 I_D 受门极电压 V_GS 控制，通过调节 V_GS 可以控制通道的导通程度，从而控制漏极电流的大小。

五、应用电路

SISS52DN-T1-GE3 PPAK1212-8 可以在各种应用中使用，以下是一个简单的开关电源应用电路：

![开关电源应用电路]()

该电路中，SISS52DN-T1-GE3 PPAK1212-8 用于开关管，通过控制门极电压，可以控制开关管的导通和关断，从而实现对输出电压的调节。

六、注意事项

1. 静态电荷：MOSFET 是一种敏感器件，容易受到静电的损坏。在处理该器件时，请注意防止静电。

2. 热量：SISS52DN-T1-GE3 PPAK1212-8 在工作时会产生热量，请确保器件的散热性能良好，避免过热损坏。

3. 驱动电路：在使用 MOSFET 时，需要使用合适的驱动电路，确保其工作可靠性。

4. 安全：在使用 MOSFET 时，请注意安全，避免发生触电等事故。

七、总结

SISS52DN-T1-GE3 PPAK1212-8 是一款性能优越、可靠性高的 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻、高速开关速度和紧凑封装等优点，广泛适用于电源管理、电机控制、工业自动化等领域。在使用该器件时，需注意静电、热量、驱动电路和安全等问题，以确保器件的正常工作。