威世(VISHAY) 场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 TSOP-6-6-1.5mm 中文介绍
一、概述
SI3585CDV-T1-GE3 是一款由威世(VISHAY) 公司生产的 N沟道增强型 MOSFET,采用 TSOP-6-6-1.5mm 封装。它具有低导通电阻、高开关速度、低功耗和高可靠性等特点,适用于各种开关应用,例如电源管理、电机驱动、通信和工业自动化等。
二、产品规格
* 型号:SI3585CDV-T1-GE3
* 封装:TSOP-6-6-1.5mm
* 类型:N沟道增强型 MOSFET
* 导通电阻 (RDS(ON)):最大 12 毫欧
* 额定电流 (ID):6A
* 额定电压 (VDS):30V
* 栅极阈值电压 (VGS(th)):1.5V-3V
* 工作温度:-55°C 至 150°C
* 封装尺寸:6.0mm x 6.0mm x 1.5mm
三、产品特点
* 低导通电阻 (RDS(ON)):低至 12 毫欧,降低功率损耗,提高效率。
* 高开关速度:快速开关速度,适用于需要快速响应的应用。
* 低功耗:低功耗特性,节省能源。
* 高可靠性:严格的质量控制,确保长期可靠性。
* TSOP-6-6-1.5mm 封装:节省空间,适用于高密度应用。
四、工作原理
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种电压控制型器件,其导通与否由栅极电压控制。当栅极电压高于阈值电压时,栅极与源极之间形成电场,吸引源极中的载流子(电子)进入沟道,形成导通路径,电流可以从源极流向漏极。反之,当栅极电压低于阈值电压时,沟道关闭,电流无法通过。
五、应用
* 电源管理:电源转换器、DC-DC 转换器、电源开关等。
* 电机驱动:电机控制、电机驱动器等。
* 通信:无线通信设备、基站等。
* 工业自动化:工业控制设备、传感器等。
六、优势
* 高效率:低导通电阻,减少功率损耗,提高效率。
* 高速性能:快速开关速度,适用于高频应用。
* 可靠性高:严格的质量控制,确保长期可靠性。
* 节省空间:小尺寸封装,适合高密度应用。
* 广泛适用:适用于各种开关应用。
七、技术参数
* 导通电阻 (RDS(ON)):12 毫欧(最大值)
* 额定电流 (ID):6A
* 额定电压 (VDS):30V
* 栅极阈值电压 (VGS(th)):1.5V-3V
* 栅极电荷 (Qg):50nC
* 输出电容 (Coss):150pF
* 工作温度:-55°C 至 150°C
* 存储温度:-65°C 至 150°C
八、注意事项
* 使用前请仔细阅读产品规格书。
* 确保 MOSFET 的散热良好。
* 避免超过额定电压和电流。
* 避免静电放电。
九、总结
SI3585CDV-T1-GE3 是一款性能优越的 N沟道增强型 MOSFET,适用于各种开关应用。其低导通电阻、高开关速度、低功耗和高可靠性使其成为各种应用的理想选择。
十、相关资料
* SI3585CDV-T1-GE3 数据手册:
* 威世(VISHAY) 官方网站:
十一、参考价格
由于市场价格会随时间变化,建议您咨询威世(VISHAY) 授权代理商或电商平台获取最新的参考价格。
十二、其他
如果您对 SI3585CDV-T1-GE3 或其他 MOSFET 产品有任何疑问,请联系威世(VISHAY) 授权代理商或技术支持。
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