场效应管(MOSFET) SI3585CDV-T1-GE3 TSOP-6-6-1.5mm中文介绍,威世(VISHAY)

Published at: Jun, 28 2025 Hits: 3

威世(VISHAY) 场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 TSOP-6-6-1.5mm 中文介绍

一、概述

SI3585CDV-T1-GE3 是一款由威世(VISHAY) 公司生产的 N沟道增强型 MOSFET,采用 TSOP-6-6-1.5mm 封装。它具有低导通电阻、高开关速度、低功耗和高可靠性等特点,适用于各种开关应用,例如电源管理、电机驱动、通信和工业自动化等。

二、产品规格

* 型号:SI3585CDV-T1-GE3

* 封装:TSOP-6-6-1.5mm

* 类型:N沟道增强型 MOSFET

* 导通电阻 (RDS(ON)):最大 12 毫欧

* 额定电流 (ID):6A

* 额定电压 (VDS):30V

* 栅极阈值电压 (VGS(th)):1.5V-3V

* 工作温度:-55°C 至 150°C

* 封装尺寸:6.0mm x 6.0mm x 1.5mm

三、产品特点

* 低导通电阻 (RDS(ON)):低至 12 毫欧,降低功率损耗,提高效率。

* 高开关速度:快速开关速度,适用于需要快速响应的应用。

* 低功耗:低功耗特性,节省能源。

* 高可靠性:严格的质量控制,确保长期可靠性。

* TSOP-6-6-1.5mm 封装:节省空间,适用于高密度应用。

四、工作原理

MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种电压控制型器件,其导通与否由栅极电压控制。当栅极电压高于阈值电压时,栅极与源极之间形成电场,吸引源极中的载流子(电子)进入沟道,形成导通路径,电流可以从源极流向漏极。反之,当栅极电压低于阈值电压时,沟道关闭,电流无法通过。

五、应用

* 电源管理:电源转换器、DC-DC 转换器、电源开关等。

* 电机驱动:电机控制、电机驱动器等。

* 通信:无线通信设备、基站等。

* 工业自动化:工业控制设备、传感器等。

六、优势

* 高效率:低导通电阻,减少功率损耗,提高效率。

* 高速性能:快速开关速度,适用于高频应用。

* 可靠性高:严格的质量控制,确保长期可靠性。

* 节省空间:小尺寸封装,适合高密度应用。

* 广泛适用:适用于各种开关应用。

七、技术参数

* 导通电阻 (RDS(ON)):12 毫欧(最大值)

* 额定电流 (ID):6A

* 额定电压 (VDS):30V

* 栅极阈值电压 (VGS(th)):1.5V-3V

* 栅极电荷 (Qg):50nC

* 输出电容 (Coss):150pF

* 工作温度:-55°C 至 150°C

* 存储温度:-65°C 至 150°C

八、注意事项

* 使用前请仔细阅读产品规格书。

* 确保 MOSFET 的散热良好。

* 避免超过额定电压和电流。

* 避免静电放电。

九、总结

SI3585CDV-T1-GE3 是一款性能优越的 N沟道增强型 MOSFET,适用于各种开关应用。其低导通电阻、高开关速度、低功耗和高可靠性使其成为各种应用的理想选择。

十、相关资料

* SI3585CDV-T1-GE3 数据手册:

* 威世(VISHAY) 官方网站:

十一、参考价格

由于市场价格会随时间变化,建议您咨询威世(VISHAY) 授权代理商或电商平台获取最新的参考价格。

十二、其他

如果您对 SI3585CDV-T1-GE3 或其他 MOSFET 产品有任何疑问,请联系威世(VISHAY) 授权代理商或技术支持。

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