场效应管(MOSFET) DMP45H4D9HK3-13 TO-252中文介绍，美台(DIODES)

美台 (DIODES) DMP45H4D9HK3-13 TO-252 场效应管 (MOSFET) 科学解析

一、 简介

DMP45H4D9HK3-13 是一款由美台 (DIODES) 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET，封装为 TO-252。它是一款高性能、高效率、低导通电阻的 MOSFET，适用于各种高功率应用，例如电源管理、电机驱动、LED 照明等。

二、 技术参数

| 参数 | 值 | 单位 |

|---|---|---|

| 漏极-源极电压 (V_DSS) | 450 | V |

| 漏极电流 (I_D) | 90 | A |

| 导通电阻 (R_DS(on)) | 13 | mΩ |

| 栅极阈值电压 (V_GS(th)) | 2.5 | V |

| 栅极-源极电压 (V_GS) | ±20 | V |

| 工作温度 | -55 ~ 150 | ℃ |

| 封装 | TO-252 | - |

三、 特点

* 高功率性能: 漏极电流高达 90A，适合高电流应用。

* 低导通电阻: 仅 13mΩ，有效降低功耗和热量。

* 高速开关速度: 能够快速响应开关信号，提高系统效率。

* 高可靠性: 经过严格测试，确保产品质量稳定可靠。

* 多种应用: 适用于电源管理、电机驱动、LED 照明等各种领域。

四、 内部结构及工作原理

DMP45H4D9HK3-13 的内部结构包括：源极 (S)、漏极 (D)、栅极 (G) 和一个硅基衬底。

工作原理:

1. 正常工作状态: 当栅极电压 V_GS 小于栅极阈值电压 V_GS(th) 时， MOSFET 处于截止状态，漏极电流 I_D 接近于零。此时，源极和漏极之间相当于开路，没有电流流过。

2. 导通状态: 当栅极电压 V_GS 大于栅极阈值电压 V_GS(th) 时， MOSFET 处于导通状态。此时，栅极电压会吸引衬底中的电子，形成一个导电通道，使得源极和漏极之间形成低阻抗通路，电流能够自由流通。

五、 应用领域

* 电源管理: 电源转换、电源适配器、电池充电器等。

* 电机驱动: 电动工具、电动汽车、工业设备等。

* LED 照明: 高功率 LED 照明系统、汽车灯光等。

* 其他应用: 各种需要高电流、低功耗、高速开关的应用。

六、 使用注意事项

* 散热: DMP45H4D9HK3-13 在工作时会产生热量，需要进行散热处理，以避免因过热导致损坏。可以使用散热器或其他散热措施。

* 驱动电路: 使用适当的驱动电路来控制 MOSFET 的开关速度，避免因过大的开关电流导致损坏。

* 电压保护: 避免超过 MOSFET 的额定电压，防止损坏。

* 静电防护: MOSFET 对静电非常敏感，需要进行静电防护，避免损坏。

七、 优势

* 高性能: 高功率、低导通电阻、高速开关速度，满足各种应用需求。

* 高性价比: 性能优异，价格合理，性价比高。

* 可靠性高: 经过严格测试，质量稳定可靠，确保产品长期使用。

* 广泛应用: 适用于各种领域，满足不同用户的需求。

八、 结论

DMP45H4D9HK3-13 是一款高性能、高效率、低导通电阻的 MOSFET，具有高功率性能、高速开关速度、高可靠性等特点，适用于各种高功率应用。选择该款 MOSFET 可以有效提升系统效率，降低功耗，提高可靠性，满足现代电子产品的各种需求。

九、 参考资料

* Diodes Incorporated 官网产品信息页: [)

十、 附加信息

* DMP45H4D9HK3-13 是一款通用型 MOSFET，可用于各种应用，用户可以根据实际需求选择合适的驱动电路和散热方案。

* 使用该 MOSFET 时，请仔细阅读产品说明书，确保正确使用。

希望以上信息对您有所帮助。