场效应管(MOSFET) SISS32LDN-T1-GE3 PAK1212-8S中文介绍，威世(VISHAY)

威世 (VISHAY) 场效应管 SISS32LDN-T1-GE3 PAK1212-8S - 科学分析

一、产品概述

SISS32LDN-T1-GE3 PAK1212-8S 是由威世 (VISHAY) 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件属于 SiSS 产品系列，采用 TO-220 封装，并在单一封装中包含 8 个独立的 MOSFET。这款 MOSFET 以其出色的性能、可靠性和高性价比而闻名，广泛应用于电源管理、电机驱动、功率转换、LED 照明等领域。

二、技术参数

| 参数名称 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

|---|---|---|---|

| 漏极电流 (ID) | 32A | 40A | A |

| 导通电阻 (RDS(ON)) | 1.8mΩ | 2.5mΩ | Ω |

| 门限电压 (Vth) | 2.5V | 4.0V | V |

| 栅极电荷 (Qg) | 30nC | 40nC | C |

| 输入电容 (Ciss) | 2000pF | 3000pF | F |

| 输出电容 (Coss) | 200pF | 300pF | F |

| 反向转移电容 (Crss) | 50pF | 100pF | F |

| 最大工作电压 (VDS) | 60V | 80V | V |

| 最大工作温度 (Tj) | -55℃ | 175℃ | ℃ |

| 封装 | TO-220 | - | - |

| 数量 | 8 | - | - |

三、产品特点

* 高电流容量：最大漏极电流高达 40A，满足高功率应用需求。

* 低导通电阻：RDS(ON) 仅为 1.8mΩ，有效降低功率损耗。

* 快速开关速度：低栅极电荷和输入电容，保证高速开关性能。

* 紧凑封装：TO-220 封装，节省空间，易于安装。

* 多通道封装：单一封装中包含 8 个独立的 MOSFET，提高集成度，简化电路设计。

四、产品应用

* 电源管理：DC-DC 转换器、电源模块、电池管理系统。

* 电机驱动：电机控制、伺服系统、机器人。

* 功率转换：逆变器、电源供应器、太阳能系统。

* LED 照明：LED 驱动器、LED 控制器、灯具设计。

* 其他应用：音频放大器、信号调制、数据采集系统。

五、工作原理

SISS32LDN-T1-GE3 PAK1212-8S 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，其工作原理如下：

* 结构： MOSFET 由源极 (S)、漏极 (D) 和栅极 (G) 三个端子组成，并在源极和漏极之间形成一个由绝缘层隔开的沟道。

* 工作状态： 当栅极电压 (VG) 低于门限电压 (Vth) 时，沟道处于关闭状态，源极和漏极之间没有电流通过。当 VG 大于 Vth 时，沟道打开，源极和漏极之间形成电流路径。

* 导通电阻： RDS(ON) 表示 MOSFET 导通时的电阻，其大小取决于沟道宽度和沟道材料的电阻率。

* 开关速度： 栅极电荷 (Qg) 和输入电容 (Ciss) 影响 MOSFET 的开关速度，Qg 越小、Ciss 越小，开关速度越快。

六、产品优势

* 高性能： 高电流容量、低导通电阻、快速开关速度，满足各种功率应用需求。

* 可靠性： 威世 (VISHAY) 公司产品以其可靠性和稳定性著称，保证长期使用安全。

* 高性价比： SISS32LDN-T1-GE3 PAK1212-8S 具有出色的性价比，在提供高性能的同时，价格合理。

* 多功能性： 多通道封装设计，使器件更具灵活性，方便电路设计和集成。

七、应用案例

* 电源管理： 在 DC-DC 转换器中，SISS32LDN-T1-GE3 PAK1212-8S 可以作为开关管，实现高效的电源转换。

* 电机驱动： 在电机控制系统中，该 MOSFET 可以作为电机驱动器，实现精确的电机速度和扭矩控制。

* LED 照明： 在 LED 驱动器中，该器件可以作为电流调节器，为 LED 提供稳定的电流，延长 LED 寿命。

八、结论

威世 (VISHAY) 场效应管 SISS32LDN-T1-GE3 PAK1212-8S 是一款性能卓越、可靠性高、性价比高的 MOSFET，适用于各种功率应用。其高电流容量、低导通电阻、快速开关速度和多通道封装设计使其成为电源管理、电机驱动、功率转换、LED 照明等领域的理想选择。