场效应管(MOSFET) SI3552DV-T1-GE3 TSOP-6-1.7mm中文介绍，威世(VISHAY)

SI3552DV-T1-GE3 TSOP-6-1.7mm 场效应管详细介绍

一、概述

SI3552DV-T1-GE3 是一款由威世(Vishay) 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 TSOP-6-1.7mm 封装。该器件属于 Si3552 系列，其显著特点是低导通电阻 (RDS(on))，适用于各种需要高电流、低功耗、快速开关速度的应用场景。

二、产品参数

2.1 主要参数

| 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

|-------------------------|---------|---------|------|

| 漏极-源极电压 (V_DSS) | 30 | 30 | V |

| 漏极电流 (I_D) | 62 | 80 | A |

| 栅极-源极电压 (V_GS) | 20 | 20 | V |

| 导通电阻 (RDS(on)) | 1.2 | 2.0 | mΩ |

| 栅极电荷 (Q_g) | 12 | 16 | nC |

| 输入电容 (C_iss) | 300 | 400 | pF |

| 输出电容 (C_oss) | 100 | 150 | pF |

| 反向传输电容 (C_rss) | 40 | 60 | pF |

| 工作温度 (T_j) | -55 | 150 | °C |

2.2 特性

* 低导通电阻 (RDS(on))，可以有效降低功耗，提高效率

* 低栅极电荷 (Q_g)，提高开关速度

* 较低的输入/输出电容，提高电路的响应速度

* 高电流承受能力，满足高功率应用需求

* 广泛的温度范围，适用于各种环境

三、应用领域

SI3552DV-T1-GE3 凭借其优异的性能和特性，广泛应用于以下领域:

* 电源管理: 适用于电源转换器、DC/DC 转换器、开关电源等领域，提高转换效率和功率密度。

* 电机控制: 用于驱动电机、伺服电机、步进电机等，实现精确控制和快速响应。

* 电力电子: 适用于各种电力电子设备，例如逆变器、整流器、UPS 等，提高设备的可靠性和效率。

* 无线通信: 用于基站、无线路由器等设备的电源管理和信号放大，提高效率和可靠性。

* 工业自动化: 适用于各种自动化设备，例如机器人、自动化控制系统等，提供高效可靠的电源控制。

四、内部结构和工作原理

SI3552DV-T1-GE3 属于 N 沟道增强型 MOSFET，内部结构由一个 N 型硅衬底、两个 PN 结、一个金属栅极组成。

* N 型硅衬底: 构成 MOSFET 的主体部分，提供载流子通道。

* PN 结: 形成源极和漏极，分别用于引入和导出电流。

* 金属栅极: 控制着通道的形成和电流的大小。

当栅极施加正电压时，会吸引 N 型硅衬底中的电子，形成一个导电通道，连接源极和漏极。通道的宽度和电阻取决于栅极电压，从而控制着电流的大小。

五、封装和尺寸

SI3552DV-T1-GE3 采用 TSOP-6-1.7mm 封装，其尺寸为：

* 长度 (L) = 10.0 mm

* 宽度 (W) = 4.0 mm

* 高度 (H) = 1.7 mm

六、使用注意事项

* 使用前请仔细阅读器件的 datasheet，了解其详细参数和使用方法。

* 栅极电压不要超过最大额定电压，否则会导致器件损坏。

* 漏极电流不要超过最大额定电流，否则会导致器件发热并损坏。

* 使用时要避免静电，防止器件被静电击穿。

* 在高温环境下使用时，要考虑器件的散热问题。

* 避免将器件暴露在腐蚀性环境中。

七、总结

SI3552DV-T1-GE3 是一款高性能 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻、低栅极电荷、高电流承受能力等优点，适用于各种需要高电流、低功耗、快速开关速度的应用场景。该器件广泛应用于电源管理、电机控制、电力电子、无线通信、工业自动化等领域，为各种应用提供高效可靠的电源控制。

八、参考

* SI3552DV-T1-GE3 datasheet: [)

* Vishay website: [/)

九、声明

本文档仅供参考，不构成任何形式的建议或保证。实际应用中请参考器件的 datasheet 和相关技术资料。