场效应管(MOSFET) SI3493DDV-T1-GE3 TSOP-6-1.5mm中文介绍，威世(VISHAY)

SI3493DDV-T1-GE3 TSOP-6-1.5mm 场效应管：威世 (VISHAY) 产品介绍

产品概述

SI3493DDV-T1-GE3 是一款由威世 (VISHAY) 生产的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 TSOP-6-1.5mm 封装，属于 SI3493 系列。该器件主要应用于电源管理、电机驱动、电源转换等领域，其低导通电阻和快速开关速度使其成为高效率电源设计中的理想选择。

产品特性

* N 沟道增强型 MOSFET：意味着器件在栅极电压为零时处于截止状态，只有当栅极电压高于阈值电压时才会导通。

* TSOP-6-1.5mm 封装：这是一种表面贴装封装，尺寸为 6 引脚，引脚间距为 1.5mm。

* 低导通电阻 (RDS(ON))：SI3493DDV-T1-GE3 的 RDS(ON) 典型值为 33 mΩ，这表明在导通状态下，器件能够以较低的电压降驱动较大的电流，从而提高电源效率。

* 快速开关速度：该器件具有快速开关速度，能够快速响应控制信号，适合于高频应用。

* 工作电压 (VDS)：该器件的工作电压最高可达 30V，可满足各种电源应用的需求。

* 最大电流 (ID)：该器件的最大电流为 13A，能够处理高电流负载。

* 低栅极电荷 (Qg)：较低的栅极电荷意味着器件的开关速度更快，能够实现更高的效率。

应用领域

SI3493DDV-T1-GE3 的主要应用领域包括：

* 电源管理: 在电源转换器、DC-DC 转换器、电源适配器等应用中，该器件能够实现高效率、高可靠性的电源管理。

* 电机驱动: 在电动汽车、工业机器人、家用电器等应用中，该器件能够驱动电机，实现高效的电机控制。

* 电源转换: 在电源转换器、逆变器、直流电源等应用中，该器件能够实现高效率的电源转换。

技术参数

| 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

| ------------- | -------- | -------- | ------ |

| 漏极源极电压 (VDS) | 30V | 30V | V |

| 漏极电流 (ID) | 13A | 13A | A |

| 导通电阻 (RDS(ON)) | 33 mΩ | 50 mΩ | Ω |

| 栅极阈值电压 (VGS(TH)) | 2V | 4V | V |

| 栅极电荷 (Qg) | 10 nC | 15 nC | nC |

| 工作温度 (TJ) | -55°C | 150°C | °C |

产品优势

与其他 MOSFET 产品相比，SI3493DDV-T1-GE3 具有以下优势：

* 低导通电阻: 较低的 RDS(ON) 能够实现更高的电源效率，降低功耗。

* 快速开关速度: 能够快速响应控制信号，适合于高频应用。

* 紧凑的封装: TSOP-6-1.5mm 封装可以节省电路板空间，方便布线。

* 高可靠性: 威世 (VISHAY) 的 MOSFET 产品以其高可靠性著称，能够确保长期稳定运行。

* 广泛的应用: 适用于多种电源管理、电机驱动、电源转换等应用领域。

技术分析

MOSFET 工作原理

MOSFET 是一种场效应晶体管，其工作原理基于电场控制电流。在 N 沟道增强型 MOSFET 中，一个绝缘层将源极和漏极之间的通道与栅极隔开。当栅极电压为零时，通道处于截止状态，没有电流流动。当栅极电压高于阈值电压时，电场会吸引自由电子进入通道，形成导通路径，电流开始流动。

导通电阻 (RDS(ON))

导通电阻指的是 MOSFET 在导通状态下的漏极和源极之间的电阻。较低的 RDS(ON) 表明 MOSFET 在导通状态下能够以较低的电压降驱动较大的电流，从而提高电源效率。

开关速度

MOSFET 的开关速度取决于其栅极电荷 (Qg) 和栅极驱动电流 (IG)。较低的 Qg 和较高的 IG 能够实现更快的开关速度。快速开关速度能够提高电源转换效率，并降低电磁干扰 (EMI)。

封装类型

TSOP-6-1.5mm 是一种表面贴装封装，尺寸为 6 引脚，引脚间距为 1.5mm。这种封装具有体积小、重量轻、易于安装等优点，适合于现代电子产品的设计需求。

总结

SI3493DDV-T1-GE3 是一款性能优越、可靠性高的 N 沟道增强型 MOSFET，适用于各种电源管理、电机驱动、电源转换等应用领域。其低导通电阻、快速开关速度、紧凑的封装和高可靠性使其成为高效率电源设计中的理想选择。

参考资料

* 威世 (VISHAY) 产品官网：/

* SI3493DDV-T1-GE3 产品资料：