场效应管(MOSFET) SISS30LDN-T1-GE3 PPAK1212-8中文介绍，威世(VISHAY)

威世 (VISHAY) 场效应管 SISS30LDN-T1-GE3 PPAK1212-8 中文介绍

一、概述

SISS30LDN-T1-GE3 PPAK1212-8 是一款由威世 (VISHAY) 公司生产的 N沟道增强型功率场效应管 (MOSFET)，属于 SiSS 系列，采用 PPAK1212-8 封装。该器件具有低导通电阻 (RDS(on))、高电流容量和高电压耐受能力，适用于各种电源管理、电机控制和工业应用。

二、产品特点

* 低导通电阻 (RDS(on))： 典型值为 1.4mΩ (VGS=10V)，确保低功率损耗和高效率。

* 高电流容量： 额定电流为 30A，满足高功率应用需求。

* 高电压耐受能力： 额定电压为 30V，适用于较高电压应用环境。

* 快速开关速度： 具有较快的开关速度，确保快速响应和高效率。

* 低漏电流： 具有较低的漏电流，减少能量损耗和提高系统效率。

* 可靠性高： 采用先进的制造工艺，确保产品的高可靠性和稳定性。

三、技术参数

| 参数 | 典型值 | 单位 |

|---|---|---|

| 导通电阻 (RDS(on)) | 1.4 | mΩ |

| 额定电流 (ID) | 30 | A |

| 额定电压 (VDS) | 30 | V |

| 栅极阈值电压 (VGS(th)) | 2.5 | V |

| 漏电流 (IDSS) | 10 | μA |

| 输入电容 (Ciss) | 380 | pF |

| 输出电容 (Coss) | 145 | pF |

| 反向传递电容 (Crss) | 20 | pF |

| 开关时间 (ton) | 15 | ns |

| 开关时间 (toff) | 20 | ns |

| 工作温度范围 | -55°C 至 150°C | °C |

| 封装 | PPAK1212-8 | - |

四、应用领域

SISS30LDN-T1-GE3 PPAK1212-8 广泛应用于以下领域：

* 电源管理： 用于 DC-DC 转换器、开关电源、电池充电器等。

* 电机控制： 用于伺服电机驱动、步进电机驱动、直流电机驱动等。

* 工业应用： 用于焊接设备、切割设备、机器人等。

* 消费电子： 用于手机充电器、笔记本电脑电源适配器等。

五、工作原理

SISS30LDN-T1-GE3 PPAK1212-8 是一款 N沟道增强型功率场效应管 (MOSFET)，其工作原理基于半导体材料的特性，通过施加栅极电压来控制漏极和源极之间的电流。

当栅极电压低于阈值电压 (VGS(th)) 时，MOSFET 处于关闭状态，漏极和源极之间几乎没有电流流动。当栅极电压高于阈值电压时，MOSFET 处于导通状态，漏极和源极之间形成一个低电阻通道，电流可以自由流动。

六、封装特点

SISS30LDN-T1-GE3 PPAK1212-8 采用 PPAK1212-8 封装，是一种高功率封装，具有以下特点：

* 尺寸小巧： 占地面积小，节省板空间。

* 散热性能好： 采用扁平封装，方便散热，提高器件可靠性。

* 引脚间距标准： 与其他标准封装兼容，方便设计使用。

七、注意事项

* 工作电压范围： 应严格控制工作电压，避免超出器件的额定电压范围。

* 热量控制： 在高电流应用中，需要做好散热措施，防止器件过热损坏。

* 静电防护： MOSFET 属于静电敏感器件，应注意静电防护，防止静电损坏器件。

* 安全操作： 在使用过程中，应注意安全操作，防止触电或其他安全事故。

八、总结

SISS30LDN-T1-GE3 PPAK1212-8 是一款性能优异、可靠性高、应用广泛的功率场效应管，适用于各种电源管理、电机控制和工业应用。通过合理的设计和使用，可以充分发挥其优势，提高系统效率和可靠性。

九、附录

* 产品手册： 威世 (VISHAY) 公司官网提供 SISS30LDN-T1-GE3 PPAK1212-8 产品手册，详细介绍了器件的性能参数、工作原理、应用指南等。

* 技术支持： 威世 (VISHAY) 公司提供技术支持，协助用户解决产品使用过程中遇到的技术问题。

十、版权说明

本文章内容仅供参考，版权归原作者所有。如有侵权，请联系删除。